Circuit int??gr??
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Dans l'??lectronique , un circuit int??gr?? (aussi connu comme IC, microcircuit, puce, puce de silicium, ou puce) est un miniaturis?? Circuit ??lectronique (constitu?? principalement de dispositifs semi-conducteurs , ainsi que composants passifs) qui a ??t?? manufactur??s dans la surface d'un substrat mince de semi-conducteurs mat??riau. Les circuits int??gr??s sont utilis??s dans les ??quipements ??lectroniques presque tous en usage aujourd'hui et ont r??volutionn?? le monde de l'??lectronique.
Un Circuit int??gr?? hybride est un circuit ??lectronique miniaturis?? de construction de dispositifs individuels ?? semi-conducteurs, ainsi que des composants passifs, li??e ?? un substrat ou circuit imprim??.
Cet article est sur les circuits int??gr??s monolithiques.
Introduction
Les circuits int??gr??s ont ??t?? rendues possibles par les d??couvertes exp??rimentales qui montrent que dispositifs semi-conducteurs pourraient exercer les fonctions de tubes ?? vide, et par les progr??s technologiques milieu du 20e si??cle dans fabrication de semiconducteurs de l'appareil. L'int??gration d'un grand nombre de minuscules transistors dans une petite puce a ??t?? une ??norme am??lioration par rapport ?? l'assemblage manuel des circuits utilisant discr??te composants electroniques. De circuit int??gr?? la capacit?? de production de masse, la fiabilit?? et approche modulaire pour la conception de circuits assur?? l'adoption rapide de circuits int??gr??s standardis??s en place de mod??les utilisant des transistors discrets.
Il ya deux principaux avantages de circuits int??gr??s sur des circuits discrets: co??t et de performance. Le co??t est faible parce que les puces, avec toutes leurs composantes, sont imprim??es comme une unit?? par photolithographie et pas construits un transistor ?? la fois. Les performances sont ??lev??es, car les composants changent rapidement et consomment peu d'??nergie, car les composants sont petites et rapproch??es. En 2006, les zones de puces vont de quelques carr??s ?? environ 350 mm mm??, avec jusqu'?? 1 million transistors par mm??.
Invention
La naissance de l'IC
Le circuit int??gr?? a ??t?? con??u par un scientifique de radar, Geoffrey Dummer WA (1909-2002), travaillant pour la Royal Radar Establishment de la Colombie- Minist??re de la D??fense, et publi?? au Symposium sur les progr??s de la qualit?? des composants ??lectroniques dans Washington, DC sur 7 mai 1952 . Il a donn?? de nombreux symposiums publiquement ?? propager ses id??es.
Dummer a tent?? en vain de construire un tel circuit en 1956.
Le circuit int??gr?? a ??t?? ind??pendamment co-invent?? par Jack Kilby de Texas Instruments et Robert Noyce de Fairchild Semiconductor pr??s au m??me moment. Kilby a enregistr?? ses premi??res id??es concernant le circuit int??gr?? en Juillet 1958 et a d??montr?? le premier circuit de travail int??gr?? le 12 Septembre avec succ??s, 1958. Kilby a remport?? le prix Nobel de physique 2000 pour sa partie de l'invention du circuit int??gr??. Robert Noyce est ??galement venu avec sa propre id??e de circuit int??gr??, une demi-ann??e plus tard Kilby. La puce de Noyce avait r??solu de nombreux probl??mes pratiques que la micropuce d??velopp??e par Kilby avait pas. La puce de Noyce, faite ?? Fairchild, a ??t?? faite de silicium , tandis que la puce de Kilby a ??t?? faite de germanium .
Les premiers d??veloppements du circuit int??gr?? remontent ?? 1949, lorsque l'ing??nieur allemand Werner Jacobi ( Siemens AG) a d??pos?? un brevet pour un dispositif semi-conducteur ?? amplification de type circuit int??gr?? montrant cinq transistors sur un substrat commun dispos?? dans un trois-??tape amplificateur arrangement. Jacobi r??v??le petite et pas cher appareils auditifs applications industrielles typiques de son brevet. Une utilisation commerciale de son brevet n'a pas ??t?? signal??e.
Une id??e de pr??curseur de l'IC ??tait de cr??er de petits carr??s c??ramique (wafers), chacun contenant un seul composant miniaturis??. Composants pourraient ensuite ??tre int??gr??s et c??bl??s dans une grille bidimensionnelle ou tridimensionnelle compacte. Cette id??e, qui avait l'air tr??s prometteuse en 1957, a ??t?? propos?? ?? l'arm??e am??ricaine par Jack Kilby, et a men?? au Programme Micromodule de courte dur??e (similaire ?? 1951 de Projet Tinkertoy). Cependant, comme le projet prenait de l'ampleur, Kilby est venu avec une nouvelle conception r??volutionnaire: l'IC.
Le pr??cit?? Noyce cr??dit?? Kurt Lehovec de Sprague Electric pour le principe de isolement de jonction pn provoqu??e par l'action d'une jonction pn polaris??e (la diode) en tant que concept cl?? derri??re l'IC.
Voir: D'autres variantes de tubes ?? vide pour des concepts de pr??curseurs tels que la Loewe 3NF.
G??n??rations
SSI, MSI, LSI
Les premiers circuits int??gr??s ne contenait que quelques transistors. Intitul??e ??Int??gration ?? petite ??chelle" (SSI), ils ont utilis?? des circuits contenant des transistors de num??rotation dans les dizaines.
Circuits SSI ??taient cruciales pour projets a??rospatiaux d??but, et vice-versa. Tant le Minuteman missiles et Programme Apollo n??cessaire ordinateurs num??riques l??gers pour leurs syst??mes de guidage inertiels; la Apollo ordinateur de guidage dirig?? et motiv?? la technologie de circuit int??gr??, tandis que le missile Minuteman forc?? dans la production de masse.
Ces programmes achet??s presque tous les circuits int??gr??s disponibles de 1960 ?? 1963, et presque seul ?? condition que la demande qui a financ?? les am??liorations de la production pour obtenir les co??ts de production de $ 1000 / circuit (en dollars de 1960) de 25 ?? seulement $ / circuit (en 1963 dollars) . Ils ont commenc?? ?? appara??tre dans les produits de consommation au tournant de la d??cennie, une application typique ??tant FM inter-porteuses traitement du son en t??l??vision r??cepteurs.
La prochaine ??tape dans le d??veloppement de circuits int??gr??s, prise dans les ann??es 1960, a introduit des dispositifs qui contenaient des centaines de transistors sur chaque puce, appel??e ??int??gration Moyen-Scale" (MSI).
Ils ??taient ??conomiquement int??ressante parce que se ils co??tent un peu plus ?? produire que les dispositifs SSI, ils ont permis ?? des syst??mes plus complexes pour ??tre produites en utilisant de plus petites cartes de circuit, moins de travail d'assemblage (en raison de moins de composants s??par??s), et un certain nombre d'autres avantages.
Poursuite du d??veloppement, tir??e par les m??mes facteurs ??conomiques, a conduit ?? "l'int??gration ?? grande ??chelle" (LSI) au milieu des ann??es 1970, avec des dizaines de milliers de transistors par puce.
Les circuits int??gr??s tels que RAM 1K-bits, les puces de la calculatrice, et les premiers microprocesseurs, qui ont commenc?? ?? ??tre fabriqu?? en quantit??s mod??r??es dans les ann??es 1970, avait sous 4000 transistors. Circuits LSI vrais, approchant 10 000 transistors, ont commenc?? ?? ??tre produite aux alentours de 1974, pour les principales m??moires d'ordinateurs et les microprocesseurs de deuxi??me g??n??ration.
VLSI
La derni??re ??tape dans le processus de d??veloppement, en commen??ant dans les ann??es 1980 et continue ?? travers le pr??sent, ??tait "Very Large-Scale Integration" ( VLSI). Cela pourrait ??tre dit de commencer avec des centaines de milliers de transistors au d??but des ann??es 1980, et se poursuit au-del?? de plusieurs milliards de transistors ?? partir de 2007.
Il n'y avait pas de perc??e unique qui a permis ?? cette augmentation de la complexit??, si de nombreux facteurs ont contribu??. Fabrication installe ?? petites r??gles et fabs propres, leur permettant de produire des puces avec plus de transistors ayant un rendement ad??quat, comme le r??sume par le Feuille de route International Technology for Semiconductors (ITRS). Outils de conception assez am??lior??es pour rendre pratique pour terminer ces dessins dans un d??lai raisonnable. Le plus ??conomes en ??nergie CMOS remplac?? NMOS et PMOS, en ??vitant une augmentation prohibitive de la consommation d'??nergie. Meilleurs textes tels que le manuel de rep??re par Mead et Conway a aid?? les ??coles ??duquent plus de designers ...
En 1986, le premier un m??gabit des puces de RAM ont ??t?? introduites, qui contiennent plus d'un million de transistors. puces microprocesseurs pass?? le cap du million de transistors en 1989 et le cap du milliard de transistors en 2005. La tendance se poursuit pratiquement sans discontinuer avec des puces introduites en 2007 contenant des dizaines de milliards de transistors de m??moire.
ULSI, WSI, SOC, 3D-IC
Pour tenir compte de la croissance de la complexit??, le terme ULSI que signifie "Scale Integration Ultra-Large?? a ??t?? propos?? pour les puces de complexit?? de plus de 1 millions de transistors.
L'int??gration Wafer-??chelle (WSI) est un syst??me de construction de tr??s grands circuits int??gr??s qui utilise une plaquette de silicium ensemble pour produire un seul "super-chip". Gr??ce ?? une combinaison de grande taille et de la r??duction des emballages, WSI pourrait conduire ?? une r??duction consid??rable des co??ts pour certains syst??mes, notamment les supercalculateurs massivement parall??les. Le nom est tir?? du terme Tr??s-Large-Scale Integration, l'??tat actuel de l'art quand WSI a ??t?? mis au point.
Syst??me sur une puce (SoC ou SOC) est un circuit int??gr?? dans lequel tous les composants n??cessaires pour un ordinateur ou un autre syst??me sont enregistr??s sur une seule puce. La conception d'un tel dispositif peut ??tre complexe et co??teux, et la construction de composants disparates sur une seule pi??ce de silicium peut compromettre l'efficacit?? de certains ??l??ments. Toutefois, ces inconv??nients sont compens??s par les co??ts de fabrication et d'assemblage inf??rieurs et par un budget de puissance consid??rablement r??duit: parce que les signaux entre les composants sont maintenus sur puce, beaucoup moins de puissance est n??cessaire (voir l'emballage, ci-dessus).
Circuit int??gr?? tridimensionnelle (3D-IC) qui comprend deux ou plusieurs couches de composants ??lectroniques actifs qui sont int??gr??s ?? la fois verticalement et horizontalement en un seul circuit. La communication entre les couches utilise la signalisation sur puce, donc la consommation d'??nergie est beaucoup plus faible que dans les circuits ??quivalentes. L'utilisation judicieuse des fils verticaux courts peut r??duire consid??rablement la longueur totale de fil pour un fonctionnement plus rapide.
Les progr??s dans les circuits int??gr??s
Parmi les circuits int??gr??s les plus avanc??s sont les microprocesseurs ou ??noyaux??, qui contr??lent tout, de ordinateurs de t??l??phones cellulaires au num??rique fours ?? micro-ondes. Num??rique puces de m??moire et ASIC sont des exemples d'autres familles de circuits int??gr??s qui sont importants pour la modernit?? soci??t?? de l'information. Bien que le co??t de conception et de d??veloppement d'un circuit int??gr?? complexe est assez ??lev??, quand r??partis sur typiquement millions d'unit??s de production le co??t IC individu est r??duit au minimum. La performance des circuits int??gr??s est ??lev?? en raison de la petite taille permet traces courtes qui ?? son tour permet aux basses la logique de puissance (tel que CMOS) pour ??tre utilis?? ?? des vitesses de commutation rapides.
CI ont toujours migr?? vers de plus petites tailles de longs fil des ans, permettant plus de circuits ?? emballer sur chaque puce. Cette capacit?? accrue par unit?? de surface peut ??tre utilis?? pour diminuer les co??ts et / ou accro??tre la fonctionnalit??-voir la loi de Moore qui, dans son interpr??tation moderne, indique que le nombre de transistors dans un circuit int??gr?? double tous les deux ans. En g??n??ral, comme la taille de la fonction r??tr??cit, presque tout se am??liore-le co??t par unit?? et la consommation de puissance de commutation de descendre, et la vitesse augmente. Cependant, les circuits int??gr??s avec dispositifs ?? l'??chelle nanom??trique ne sont pas sans leurs probl??mes, dont le principal est courant de fuite (voir une fuite sous le seuil pour une discussion de ce), m??me si ces probl??mes ne sont pas insurmontables et sera probablement r??solu ou au moins am??lior??e par l'introduction de di??lectriques high-k. Depuis ces gains de vitesse et de consommation d'??nergie sont ??videntes pour l'utilisateur final, il ya une concurrence f??roce entre les fabricants d'utiliser des g??om??tries plus fines. Ce processus et les progr??s attendus au cours des prochaines ann??es, est bien d??crite par le Feuille de route International Technology for Semiconductors (ITRS).
Popularit?? de circuits int??gr??s
Seul un demi-si??cle apr??s leur d??veloppement a ??t?? lanc??, les circuits int??gr??s sont devenus omnipr??sents. Ordinateurs , t??l??phones cellulaires et autres num??rique appareils font maintenant partie inextricables de la structure des soci??t??s modernes. Ce est, moderne informatique, communication , fabrication et de transport des syst??mes, y compris l' Internet , tous d??pendent de l'existence de circuits int??gr??s. En effet, beaucoup chercheurs pensent que la r??volution num??rique apport?? par le sujet micropuce r??volution ??tait un des ??v??nements les plus importants dans le histoire de l'humanit?? .
Classification
Les circuits int??gr??s peuvent ??tre class??s en analogique, num??rique et signal mixte (analogique et num??rique sur la m??me puce).
Circuits int??gr??s num??riques peuvent contenir ne importe quoi de quelques milliers ?? des millions de portes logiques, tongs, les multiplexeurs, et d'autres circuits ?? quelques millim??tres carr??s. La petite taille de ces circuits permet haute vitesse, faible dissipation d'??nergie et une r??duction des co??ts de fabrication par rapport ?? l'int??gration au niveau du conseil d'administration. Ces circuits int??gr??s num??riques, typiquement microprocesseurs, DSP et microcontr??leurs travail en utilisant les math??matiques binaires pour traiter ??un?? et signaux "z??ro".
CI analogiques, tels que des capteurs, des circuits de gestion de puissance, et amplificateurs op??rationnels, travaillent en traitant des signaux continus. Ils remplissent des fonctions comme l'amplification , filtrage actif, d??modulation, m??lange, etc. circuits int??gr??s analogiques all??ger le fardeau des concepteurs de circuits en ayant circuits analogiques con??us par des experts disponibles au lieu de concevoir un circuit analogique difficile ?? partir de z??ro.
CI peuvent ??galement combiner des circuits analogiques et num??riques sur une seule puce pour cr??er des fonctions telles que Des convertisseurs A / N et Des convertisseurs N / A. Ces circuits offrent une plus petite taille et ?? moindre co??t, mais doivent soigneusement tenir compte des interf??rences de signaux.
Fabrication
Fabrication
Les semi-conducteurs de la classification p??riodique des ??l??ments chimiques ont ??t?? identifi??s comme les mat??riaux les plus probables pour un ??tat solide tube ?? vide par des chercheurs comme William Shockley, aux Bell Laboratories ?? partir des ann??es 1930. ?? partir de oxyde de cuivre, de proc??der ?? germanium , puis le silicium , les mat??riaux ont ??t?? syst??matiquement ??tudi?? dans les ann??es 1940 et 1950. Aujourd'hui, le silicium monocristaux sont la principale substrat utilis?? pour circuits int??gr??s (CI) bien que certains compos??s III-V du tableau p??riodique tels que ars??niure de gallium sont utilis??s pour des applications sp??cialis??es comme LED, lasers , les cellules solaires et les circuits int??gr??s de la plus haute vitesse. Il a fallu des d??cennies ?? perfectionner des m??thodes de cr??ation de cristaux sans d??faut dans la structure cristalline du mat??riau semiconducteur.
Semi-conducteurs CI sont fabriqu??s dans un processus de couche qui comprend les ??tapes cl??s du processus:
- Imagerie
- D??position
- Gravure
Les principales ??tapes du processus sont compl??t??es par des mesures antidopage, nettoyage et de polarisation.
Mono-cristal de silicium plaquettes (ou pour des applications sp??ciales, silicium sur saphir ou galettes d'ars??niure de gallium) sont utilis??s comme substrat. La photolithographie est utilis?? pour marquer les diff??rentes zones du substrat d'??tre dop?? ou d'avoir polysilicium, isolants ou de m??tal (g??n??ralement en aluminium ) pistes d??pos??s sur eux.
- Les circuits int??gr??s sont constitu??s de plusieurs couches qui se chevauchent, chacune d??finie par photolithographie, et normalement repr??sent??s en diff??rentes couleurs. Certaines couches marquent o?? plusieurs dopants sont diffus??s dans le substrat (couches dites de diffusion), une partie d??finie o?? les ions compl??mentaires sont implant??s (couches d'implant), certains d??finissent les conducteurs (silicium polycristallin ou en m??tal couches), et certains d??finissent des connexions entre les couches conductrices ( via ou couches de contact). Tous les composants sont construits ?? partir d'une combinaison sp??cifique de ces couches.
- Dans une auto-align??e Proc??d?? CMOS, un transistor est form?? l?? o?? la couche de grille (en polysilicium ou en m??tal) traverse une couche de diffusion.
- Structures r??sistives, rayures sinueuses de diff??rentes longueurs, forment les charges sur le circuit. Le rapport de la longueur de la structure r??sistive ?? sa largeur, combin??e avec sa r??sistivit?? de feuille d??termine la r??sistance.
- Structures capacitives, sous une forme tr??s peu comme les plaques d'un condensateur ??lectrique traditionnel conductrices parall??les, sont form??es en fonction de la zone des "plaques", d'un mat??riau isolant entre les plaques. En raison de limitations de taille, que de tr??s petites capacit??s peuvent ??tre cr????s sur un circuit int??gr??.
- Plus rarement, structures inductives peuvent ??tre construits comme de minuscules bobines sur puce, ou simul??s par gyrateurs.
Depuis un dispositif CMOS consomme du courant seulement sur la transition entre logique Etats, dispositifs CMOS consomment beaucoup moins de courant que des dispositifs bipolaires.
Un une m??moire ?? acc??s al??atoire est le type le plus r??gulier de circuit int??gr??; les dispositifs de densit?? les plus ??lev??es sont donc souvenirs; mais m??me un microprocesseur devra m??moire sur la puce. (Voir la structure r??guli??re du tableau au bas de la premi??re image.) Bien que les structures sont complexes - avec des largeurs qui ont ??t?? en d??croissance depuis des d??cennies - les couches restent beaucoup plus minces que les largeurs de p??riph??riques. Les couches de mat??riau sont fabriqu??s ?? peu comme un processus photographique, bien que l??gers ondes dans le spectre visible ne peut pas ??tre utilis?? pour ??exposer?? une couche de mat??riau, comme ils le seraient trop grand pour les caract??ristiques. Ainsi photons de fr??quences plus ??lev??es (typiquement ultraviolets ) sont utilis??s pour cr??er les mod??les pour chaque couche. Parce que chaque fonction est si petit, microscopes ??lectroniques sont des outils essentiels pour une processus ing??nieur qui pourrait ??tre d??bogage d'un processus de fabrication.
Chaque dispositif est test?? avant l'emballage en utilisant un ??quipement de test automatique (ATE), dans un processus connu sous le nom tests plaquette, ou sondage de la tranche. La plaquette est ensuite d??coup??e en blocs rectangulaires, dont chacun est appel?? un d??. Chaque bon die (d??s pluriel, meurt, ou mourir) est ensuite connect?? dans un paquet en utilisant l'aluminium (ou or ) fils qui sont soud??s ?? des plots, on trouve habituellement sur le bord de la fili??re. Apr??s emballage, les appareils passent par le test final sur le m??me ou similaire ATE utilis??s pendant sondage de la tranche. co??t de test peuvent repr??senter plus de 25% du co??t de fabrication des produits ?? moindre co??t, mais peut ??tre n??gligeable ?? faible rendement, plus grande, et / ou des dispositifs de co??ts plus ??lev??s.
En 2005, une usine de fabrication (commun??ment connu comme un semiconducteur fab) co??te plus d'un milliard de Dollars US pour construire, parce qu'une grande partie de l'op??ration est automatis??e. Les proc??d??s les plus avanc??s utilisent les techniques suivantes:
- Les plaquettes sont ?? 300 mm de diam??tre (plus large que d'une assiette commune).
- L'utilisation de 65 nanom??tres ou moins puce processus de fabrication. Intel , IBM , NEC, et AMD utilisent 45 nanom??tres pour leurs CPU puces, et AMD et NEC ont commenc?? ?? utiliser un processus de 65 nanom??tres. IBM et AMD sont dans le d??veloppement d'un processus de 45 nm ?? l'aide la lithographie par immersion.
- interconnexions de cuivre o?? le c??blage de cuivre remplace l'aluminium pour les interconnexions.
- Low-K isolants di??lectriques.
- Silicium sur isolant (SOI)
- Silicium contraint dans un processus utilis?? par IBM connu sous le nom silicium contraint sur isolant directement (SSDOI)
Conditionnement
Les circuits int??gr??s ont ??t?? emball??s dans des premiers paquets plats en c??ramique, qui ont continu?? ?? ??tre utilis?? par les militaires pour leur fiabilit?? et leur petite taille pour de nombreuses ann??es. Emballage de circuit commercial rapidement d??plac?? vers le paquet double en ligne (DIP), d'abord en c??ramique et par la suite en plastique. Dans les ann??es 1980 le nombre de broches de circuits VLSI d??pass?? la limite pratique pour l'emballage de DIP, conduisant ?? r??seau de grille ?? broches (PGA) et leadless support de puce (LCC) paquets. Montage en surface emballage est apparu au d??but des ann??es 1980 et est devenu populaire dans les ann??es 1980, en utilisant pas de plomb plus fine avec des fils form??s soit comme en aile de mouette ou J-plomb, comme en t??moigne petite-outline circuit int??gr?? - un support qui occupe une superficie d'environ 30 ?? 50% de moins que l'??quivalent DIP, d'une ??paisseur typique qui est 70% de moins. Ce paquet a "aile de mouette" conduit d??passant des deux c??t??s longs et un espacement de plomb de 0,050 pouces.
Petit circuit-outline int??gr?? (SOIC) et forfaits PLCC. ?? la fin des ann??es 1990, PQFP et forfaits TSOP est devenu le plus courant pour les appareils de comptage de broches ??lev??, si les paquets de la PGA sont encore souvent utilis??s pour haut de gamme microprocesseurs. Intel et AMD passent actuellement de paquets de la PGA sur les microprocesseurs haut de gamme pour Matrice de pastilles (LGA) de paquets.
grid array Ball (BGA) paquets ont exist?? depuis les ann??es 1970. Flip-chip Ball Grid Array paquets, qui permettent beaucoup plus ??lev?? nombre de broches que les autres types de colis, ont ??t?? d??velopp??s dans les ann??es 1990. Dans un package FCBGA la fili??re est mont?? ?? l'envers (retourn??) et se connecte ?? des balles de paquets via un substrat de paquet qui est similaire ?? une carte de circuit imprim?? plut??t que par des fils. Paquets FCBGA permettent un ??ventail de signaux d'entr??e-sortie (appel?? Area-I / O) pour ??tre distribu??e sur toute la fili??re plut??t que d'??tre confin?? ?? la p??riph??rie de la fili??re.
Traces hors de la matrice, ?? travers l'emballage, et dans la carte de circuit imprim?? ont tr??s diff??rentes propri??t??s ??lectriques, par rapport ?? des signaux sur puce. Ils n??cessitent des techniques de conception sp??ciales et doivent pouvoir beaucoup plus ??lectrique que les signaux confin??s ?? la puce elle-m??me.
Lorsque plusieurs matrices sont mis dans un seul paquet, il est appel?? SiP, pour System in Package. Lorsque plusieurs matrices sont combin??s sur un petit substrat, souvent en c??ramique, ??a se appelle un MCM, ou Module ?? puces multiples. La fronti??re entre un grand et un petit MCM carte de circuit imprim?? est parfois floue.
Autres d??veloppements
Dans les ann??es 1980 circuits int??gr??s programmables ont ??t?? d??velopp??s. Ces dispositifs contiennent des circuits dont la fonction logique et de connectivit?? peut ??tre programm?? par l'utilisateur, au lieu d'??tre fix??e par le fabricant de circuit int??gr??. Cela permet ?? une seule puce pour ??tre programm?? pour mettre en ??uvre des diff??rentes fonctions de type LSI tels que portes logiques, additionneurs et registres. Dispositifs actuels nomm??s FPGA (Field Programmable Gate Arrays) peut maintenant mettre en ??uvre des dizaines de milliers de circuits LSI en parall??le et fonctionner jusqu'?? 550 MHz.
Les techniques mises au point par l'industrie des circuits int??gr??s au cours des trois derni??res d??cennies ont ??t?? utilis??s pour cr??er des machines microscopiques, connu sous le nom MEMS. Ces dispositifs sont utilis??s dans une vari??t?? d'applications commerciales et militaires. Exemples des applications commerciales comprennent DLP projecteurs, imprimantes jet d'encre, et acc??l??rom??tres utilis??s pour d??ployer automobile airbags.
Dans le pass??, les radios ne pouvaient pas ??tre fabriqu??s dans les m??mes processus ?? faible co??t que les microprocesseurs. Mais depuis 1998, un grand nombre de puces radio ont ??t?? d??velopp??s en utilisant des proc??d??s CMOS. Les exemples incluent sans fil DECT t??l??phone de Intel, ou 802,11 carte de Atheros.
Les d??veloppements futurs semblent suivre le paradigme multi-microprocesseur, d??j?? utilis?? par les processeurs dual-core Intel et AMD. Intel a r??cemment d??voil?? un prototype, la puce "pas ?? vendre commercial" qui porte un stup??fiant 80 microprocesseurs. Chaque noyau est capable de g??rer sa propre t??che ind??pendamment des autres. Il se agit en r??ponse ?? la limite thermique contre-vitesse qui est sur le point d'??tre atteinte en utilisant la technologie de transistor existant. Cette conception offre un nouveau d??fi ?? la programmation de la puce. X10 est le nouveau langage de programmation open-source con??u pour aider dans cette t??che.
Silicon graffitis
Depuis circuits int??gr??s ont ??t?? cr????s, certains concepteurs de puces ont utilis?? la surface de silicium pour des images ou des mots subreptices, non-fonctionnels. Ceux-ci sont parfois appel??es Chip Art, Silicon Art, Silicon Graffiti ou Silicon Doodling. Pour un aper??u de cette pratique, voir l'article L'art secret de Chip Graffiti, de la revue et de l'IEEE Spectrum Zoo silicium.
