Transistor d'efecte camp
De Viquip??dia
El transistor d'efecte camp (Field-Effect Transistor o FET, en angl??s) ??s en realitat una fam??lia de transistors que es basen en el camp el??ctric per controlar la conductivitat d'un "canal" en un material semiconductor. Els FET, com tots els transistors, poden plantejar-se com resist??ncies controlades per voltatge.
La majoria dels FET estan fets usant les t??cniques de processament de semiconductors habituals, emprant l'oblia monocristal??lina semiconductora com la regi?? activa, o canal. La regi?? activa dels TFTs (thin-film transistors, o transistors de pel??l??cula fina), per altra banda, ??s una pel??l??cula que es deposita sobre un substrat (usualment vidre, ja que la principal aplicaci?? dels TFTs ??s les pantalles de cristall l??quid o LCDs).
[edita] Tipus de transistors d'efecte camp
Podem clasificar els transistors d'efecte camp segons el m??tode d'a??llament entre el canal i la porta:
- El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un a??llant (normalment SiO2).
- El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una uni?? p-n.
- El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) usa una barrera Schottky
- En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tamb?? anomenat HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada amb "buits" forma l'a??llant.
La caracter??stica dels TFT que els distingueix, ??s que fan ??s del silici amorf o del silici policristal??l??.
