Banda proibita
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La banda proibita di un isolante o di un semiconduttore è l'intervallo di energia interdetto agli elettroni.
Ovvero, in un isolante (o semiconduttore) non drogato non può esistere un elettrone, in uno stato stazionario, che abbia un'energia relativa compresa nella banda proibita. Generalmente il livello di energia inferiore che limita la banda si chiama livello o banda di valenza, mentre quello superiore si chiama livello o banda di conduzione.
Il silicio non drogato ha una banda proibita di circa 1,12 eV a temperatura ambiente.
Nella banda proibita avvengono i processi di ricombinazione elettrone - lacuna.
[modifica] Banda proibita in alcuni materiali
| Materiale | Simbolo | Banda proibita (eV) a 300 K |
|---|---|---|
| Silicio | Si | 1,12 [1] |
| Germanio | Ge | 0,67 [1] |
| Carburo di silicio | SiC | 2,86 [1] |
| Fosfuro di alluminio | AlP | 2,45 [1] |
| Arseniuro di alluminio | AlAs | 2,16 [1] |
| Antimoniuro di alluminio | AlSb | 1,6 [1] |
| Nitruro di alluminio | AlN | 6,3 |
| Diamante | C | 5,5 [2] |
| Fosfuro di gallio (III) | GaP | 2,26 [1] |
| Arseniuro di gallio | GaAs | 1,43 [1] |
| Nitruro di gallio | GaN | 3,4 [1] |
| Solfuro di gallio (II) | GaS | 2,5 (a 295 K) |
| Antimoniuro di gallio | GaSb | 0,7 [1] |
| Fosfuro di indio | InP | 1,35 [1] |
| Arseniuro di Indio (III) | InAs | 0,36 [1] |
| Solfuro di zinco (forma cubica) | ZnS | 3,54 |
| Solfuro di zinco (forma esagonale) | ZnS | 3,91 |
| Seleniuro di zinco | ZnSe | 2,7 [1] |
| Tellururo di zinco | ZnTe | 2,25 [1] |
| Solfuro di cadmio | CdS | 2,42 [1] |
| Seleniuro di cadmio | CdSe | 1,73 [1] |
| Telluluro di cadmio | CdTe | 1,58 [1] |
| Solfuro di piombo | PbS | 0,37 [1] |
| Seleniuro di piombo (II) | PbSe | 0,27 [1] |
| Telluluro di piombo (II) | PbTe | 0,29 [1] |
[modifica] Note
- ^ a b c d e f g h i j k l m n o p q r s t Ben G. Streetman; Sanjay Banerjee. Solid State electronic Devices. 5a. (in inglese) New Jersey, Prentice Hall, 2000. Pagine 524 ISBN 0-13-025538-6
- ^ Semiconduttore a pellicola di diamante
