Transistor IGBT
De Viquip??dia
El transistor IGBT (de l'angl??s Insulated Gate Bipolar Transistor, transistor bipolar amb porta aillada) combina les senzilles caracter??stiques de la porta del MOSFET amb l'elevada intensitat i baix voltatge de saturaci?? dels transistors bipolars. Aix?? s'aconsegueix juntant en un ??nic dispositiu una porta aillada FET per al control amb un transtor bipolar de pot??ncia actuant en conmutaci??.
El IGBT ??s una invenci?? recent. Els dispositius de "primera generaci??" que aparegueren en 1980 i principis dels 90 eren relativament lents en conmutaci?? i tendien a fallar. Els dispositius de segona generaci?? milloraren molt, per?? res comparat amb els actuals de tercera generaci??, qu?? tenen una velocitat que hi rivalitza amb els MOSFETs, a m??s d'una excel??lent duresa i tolerancia a sobrec??rregues.
El IGBT s'usa principalment en fonts d'alimentaci?? conmutades i en aplicacions de control de motors. Els avan??os en la segona i tercera generaci?? els feren ??tils en ??rees com la f??sica de part??cules, on comencen a suplantar a altres dispositius.
