Transistor Darlington

De Viquip??dia

En electr??nica, el transistor Darlington ??s un dispositiu semiconductor que combina dos transistors bipolars en un t??ndem (de vegades anomenat "parell Darlington") dins d'un ??nic dispositiu. A???? eleva el guany (normalment escrit ??) i requereix menys espai que usant dos transistors individuals en la mateixa configuraci??. El guany total del Darlington ??s el producte del guany dels transistors individuals. Un dispositiu modern t??pic t?? un guany de corrent de 1000 o m??s. T?? un major despla??ament de fase en elevades freq????ncies que un ??nic transistor, d'ac?? que puga passar a ser inestable f??cilment amb una realimentaci?? negativa. El voltatge base-emisor tamb?? es major, donat que ??s la suma de ambd??s voltatges base-emisor (que per als transistors de silici sol ser >1.2 V). Aquesta configuraci?? (originariament efectuada amb dos transistors independents) fou inventada per l'enginyer dels Laboratoris Bell Sidney Darlington. La idea de ficar dos o tres transitors en un ??nic xip fou patentada per ell, per?? no la idea de ficar un nombre arbitrari de transistors, cosa que engloba tots els circuits integrats moderns.