Model EKV

De Viquipèdia

El model EKV és un model matemàtic que descriu el comportament dels transistors MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) de efect camp. Està pensat per a la simulació de circuits electrònics i per facilitar el disseny de circuits analògics ^[1].

Taula de continguts

1 Història
2 Referències
3 Més Informació
4 Enllaços externs

[edita] Història

Va ser desenvolupat originalment per C. C. Enz, F. Krummenacher, i E. A. Vittoz (d'aquí surt el nom EKV) devers 1995, usant com a punt de partida treballs anteriors fets durant la década de 1980 ^[2] ^[3] ^[4] . Com a contraposició a models més simples (com el model quadràtic), el model EKV és precís inclús quan el MOSFET opera en la regió subllindar (és a dir, si $V b u l k = V s o u r c e$ aleshores el MOSFET està en la regió subllindar si $V g a t e - s o u r c e < V T h r e s h o l d$ ). A més, el model incorpora molts altres efectes que sorgeixen en les tecnologies de fabricació submicrònicas. Com avantatge enfront d'altres models com el BSIM, podem citar el seu reduït nombre de paràmetres, i que permet càlculs manuals.

[edita] Referències

↑ Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design 8: 83-114, July 1995
↑ Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "A CMOS Chopper Amplifier", IEEE Journal of Solid-State Circuits 22 (3): 335-342, June 1987
↑ Oguey, H. J. & Cserveny, S., "Modele du transistor MOS valable dans un grand domaine de courants", Bull. SEW VSE , February 1982
↑ Oguey, H. J. & Cserveny, S., "MOS modelling at low current density", Summer Course on "Process and Device Modelling" ,ESAT Leuven-Heverlee, Belgium, June 1983