Model EKV

De Viquip??dia

El model EKV ??s un model matem??tic que descriu el comportament dels transistors MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) de efect camp. Est?? pensat per a la simulaci?? de circuits electr??nics i per facilitar el disseny de circuits anal??gics ^[1].

Taula de continguts

1 Hist??ria
2 Refer??ncies
3 M??s Informaci??
4 Enlla??os externs

[edita] Hist??ria

Va ser desenvolupat originalment per C. C. Enz, F. Krummenacher, i E. A. Vittoz (d'aqu?? surt el nom EKV) devers 1995, usant com a punt de partida treballs anteriors fets durant la d??cada de 1980 ^[2] ^[3] ^[4] . Com a contraposici?? a models m??s simples (com el model quadr??tic), el model EKV ??s prec??s incl??s quan el MOSFET opera en la regi?? subllindar (??s a dir, si $V b u l k = V s o u r c e$ aleshores el MOSFET est?? en la regi?? subllindar si $V g a t e ??? s o u r c e < V T h r e s h o l d$ ). A m??s, el model incorpora molts altres efectes que sorgeixen en les tecnologies de fabricaci?? submicr??nicas. Com avantatge enfront d'altres models com el BSIM, podem citar el seu redu??t nombre de par??metres, i que permet c??lculs manuals.

[edita] Refer??ncies

??? Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design 8: 83-114, July 1995
??? Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "A CMOS Chopper Amplifier", IEEE Journal of Solid-State Circuits 22 (3): 335-342, June 1987
??? Oguey, H. J. & Cserveny, S., "Modele du transistor MOS valable dans un grand domaine de courants", Bull. SEW VSE , February 1982
??? Oguey, H. J. & Cserveny, S., "MOS modelling at low current density", Summer Course on "Process and Device Modelling" ,ESAT Leuven-Heverlee, Belgium, June 1983