Model EKV
De Viquipèdia
El model EKV és un model matemàtic que descriu el comportament dels transistors MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) de efect camp. Està pensat per a la simulació de circuits electrònics i per facilitar el disseny de circuits analògics [1].
Taula de continguts |
[edita] Història
Va ser desenvolupat originalment per C. C. Enz, F. Krummenacher, i E. A. Vittoz (d'aquí surt el nom EKV) devers 1995, usant com a punt de partida treballs anteriors fets durant la década de 1980 [2] [3] [4] . Com a contraposició a models més simples (com el model quadràtic), el model EKV és precís inclús quan el MOSFET opera en la regió subllindar (és a dir, si Vbulk = Vsource aleshores el MOSFET està en la regió subllindar si Vgate − source < VThreshold). A més, el model incorpora molts altres efectes que sorgeixen en les tecnologies de fabricació submicrònicas. Com avantatge enfront d'altres models com el BSIM, podem citar el seu reduït nombre de paràmetres, i que permet càlculs manuals.
[edita] Referències
- ↑ Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design 8: 83-114, July 1995
- ↑ Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "A CMOS Chopper Amplifier", IEEE Journal of Solid-State Circuits 22 (3): 335-342, June 1987
- ↑ Oguey, H. J. & Cserveny, S., "Modele du transistor MOS valable dans un grand domaine de courants", Bull. SEW VSE , February 1982
- ↑ Oguey, H. J. & Cserveny, S., "MOS modelling at low current density", Summer Course on "Process and Device Modelling" ,ESAT Leuven-Heverlee, Belgium, June 1983
[edita] Més Informació
- Models de transistors
- MOSFET
- SPICE
- BSIM
[edita] Enllaços externs
- Web Page de Christian Enz
- Web Page de François Krummenacher
- Sobre Eric Vittoz
- Web Page del Model EKV a la EPFL
- ORIGINS OF THE EKV MODEL; EKV Users' Meeting/Workshop; November 4-5, 2004; EPFL in Lausanne
- Swiss Origins of Very Low-Power Integrated Circuits (1962-1982) Gala Special Talk, ESSDERC-ESSCIRC'06, Montreux, Switzerland